アンチモン化ガリウム

アンチモン化ガリウム

Gallium(III) antimonide

別称
ガリウムアンチモン
識別情報
CAS登録番号 12064-03-8
PubChem 4227894
  • Ga#Sb
特性
組成式 GaSb
モル質量 191.48 g/mol
外観 灰白色
密度 5.6137 g/cm3
融点

712 °C

への溶解度 不溶
バンドギャップ 0.726 eV (300 K)
電子移動度 3000 cm2/(V*s) (300 K)
熱伝導率 0.32 W/(cm*K) (300 K)
屈折率 (nD) 3.8
構造
結晶構造 閃亜鉛鉱型構造
空間群 F-43m
格子定数 (a, b, c) a = 6.094 Å
危険性
NFPA 704
0
1
0
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

アンチモン化ガリウム(GaSb)とは、ガリウム(Ga)とアンチモン(Sb)から成る組成式がGaSbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。

歴史

金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告された。Ga-Sb相平衡は、1955年にKoster[1]やGreenfield[2]によって調査された。

用途

赤外線検出器、赤外線LED、レーザー、トランジスタ、熱電発電に使用される。

出典

  1. ^ Koster, W.; Thoma, B., Z. Metallkd. 46, 291 (1955).
  2. ^ Greenfield, I. G.; Smith, R. L., Trans. AIME 203, 351 (1955).

関連項目

二元化合物
  • GaAs
  • GaBr
  • GaBr3
  • GaCl
  • GaCl3
  • GaF3
  • Ga2H6
  • GaI
  • GaI3
  • GaN
  • Ga2O3
  • GaP
  • GaS
  • Ga2S3
  • GaSb
  • GaSe
  • Ga2Se3
  • GaTe
  • Ga2Te3
三元化合物
  • Ga(CH3)3
  • Ga(C2H5)3
  • Ga(NO3)3
  • Ga(OH)3
  • GaPO4
  • Ga2(SO4)3
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