Ferroelectric Random Access Memory
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La mémoire FRAM, mémoire ferro-électrique ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En , Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM[1]. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie.
Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire présentera les avantages suivants :
- moindre consommation d'électricité ;
- plus grande vitesse de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
- possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois.
Les inconvénients sont par contre :
- des capacités de stockage plus limitées ;
- un coût de fabrication plus élevé.
Leur utilisation est destinée aux SSD.
Références
- ↑ (en) « Industry's first ultra-low-power FRAM microcontroller from TI enables developers to make the world smarter », sur ti.com, (version du sur Internet Archive).
Voir aussi
Liens externes
- (en) FRAM technology overiew, by RAMTRON
- (en) FeRAM Tutorial
- (en) TI MSP430 FRAM Series
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